本IC是采用CMOS技术开发的可编程的快速响应线性霍尔效应传感器IC。以VREF端子电压为基准,输出与磁速密度成比例的电压。
本IC内置有非易失性存储器,通过2线串行接口可以对IC功能的切换和剪切调整进行自由设定。功能切换可以切换基准电压工作模式、基准电压输出、输出电压极性、频带宽度、热敏关闭的各项功能。剪切调整可以高精度地调整磁性灵敏度、磁性灵敏度温度漂移、输出失调电压、基准电压输出。
因可快速响应,最适用于瞬时过电流监控等电流传感器用途。
特点
- 输出响应时间
- 2.5 µs max. (频带 400 kHz)
- 与磁束密度成比例的模拟电压输出
- 以VREF端子电压为基准工作,非线性±0.5% max.
由于是非比率工作,对电源噪声具有很高的抵抗力 - 内置非易失性存储器
- 通过2线串行接口可以对IC进行功能切换和剪切调整
- 内置热敏关闭电路
- 检测温度170°C typ.
- 功能切换
- 基准电压工作模式 : 基准电压输出模式*1、基准电压输入模式
- 基准电压输出 : 0.50 V, 1.50 V, 1.65 V, 2.50 V*1
- 输出电压极性 : 正极*1、负极
- 频带宽度 : 100 kHz, 200 kHz, 400 kHz*1
- 热敏关闭 : 有*1、无
- 剪切调整
- 磁性灵敏度 : 6 V/T ~ 180 V/T (130 V/T typ.*1)、0.3%进阶 max.
- 磁性灵敏度温度漂移 : -500 ppm/°C ~ +500 ppm/°C (0 ppm/°C typ.*1), 25 ppm/°C进阶 typ.
- 输出失调电压 : 1.5 mV进阶 max.
- 基准电压输出 : 4.0 mV进阶 max.
- 电源电压范围
- VDD = 4.5 V ~ 5.5 V
- 消耗电流
- IDD = 19 mA typ.
- 工作温度范围
- Ta = -40°C ~ +125°C
- 无铅 (Sn 100%)、无卤素
*1. 出厂时的默认设定
用途
- 磁芯电流传感器
- 线性位置检测
- 旋转检测