電源用IC

パワーセービング機能付き 1セル用バッテリー保護IC S-82N1Bシリーズ

S-S-82M1A/N1A/N1Bシリーズ特長。ウェアラブル機器の長時間駆動・安全性向上をサポート。

S-82N1Bシリーズは、高精度電圧検出回路と遅延回路を内蔵したリチウムイオン / リチウムポリマー二次電池保護用ICです。
1セルリチウムイオン / リチウムポリマー二次電池パックの過充電、過放電、過電流の保護に最適なICです。
パワーセービング信号入力端子 (PS端子) を備えており、外部信号にてパワーセービング機能を動作させることで、消費電流を抑えることが可能です。

特長

高精度電圧検出回路
過充電検出電圧 : 3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ) 精度±15 mV
過充電解除電圧 : 3.100 V ~ 4.600 V*1 精度±50 mV
過放電検出電圧 : 2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ) 精度±50 mV
過放電解除電圧 : 2.000 V ~ 3.400 V*2 精度±100 mV
放電過電流検出電圧 : 0.003 V ~ 0.100 V (1 mVステップ) 精度±3 mV
負荷短絡検出電圧 : 0.010 V ~ 0.200 V (1 mVステップ) 精度±7 mV
充電過電流検出電圧 : −0.100 V ~ −0.003 V (1 mVステップ) 精度±3 mV
各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
パワーセービング機能
PS端子制御論理 : アクティブ "H"、アクティブ "L"
PS端子内部抵抗接続 : プルアップ、プルダウン
PS端子内部抵抗値 : 1.0 MΩ、2.0 MΩ、3.0 MΩ、4.0 MΩ、5.0 MΩ
放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件 : 負荷開放、充電器接続
放電過電流状態解除電圧 : 放電過電流検出電圧 (VDIOV)、放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)
0 V電池への充電
可能、禁止
パワーダウン機能
高耐圧
VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V
広動作温度範囲
Ta = −40℃ ~ +85℃
低消費電流
動作時 : 600 nA typ., 990 nA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時 : 50 nA max. (Ta = +25°C)
パワーセービング時 : 50 nA max. (Ta = +25°C)
鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧
(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧
(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

用途

  • リチウムイオン二次電池パック
  • リチウムポリマー二次電池パック

型番リスト

  • 製品型名末尾の U(Ux)、S、G は、環境コードとして材料仕様違いを表しておりましたが、現在、全て『鉛フリー、ハロゲンフリー』へ統一され、環境品質的には同一となっております。
  • ※但し、一部の限られた旧製品においては、鉛フリーでSn 100%以外のリードめっきが適用されていますので、詳しくは販売窓口にご確認下さい。
  • 上記製品名およびパラメータは実際とは異なる場合があります。データシートで再度、製品名・仕様をご確認ください。
  • データは予告なく変更されることがあります。